Efeitos memristivos dependentes da atmosfera
Os efeitos de superfície possuem uma fenomenologia abrangente e com forte viés aplicado em sensores de gases. Há algum tempo, investigamos também sua influência no comportamento memristivo de óxidos semicondutores, em particular em filmes finos de ZnO dopados com Na, como parte do trabalho de doutorado da Dra. Ana Luiza Costa Silva.
Geralmente, os memristores tradicionais empregam uma geometria vertical que impede a exploração da rica complexidade que envolve mudanças de estado de resistência com base na concentração de gás da atmosfera, as reações REDOX e a cinética de superfície. Dispositivos verticais tradicionais não conseguem explorar plenamente esta complexidade. Os resultados experimentais combinados com algoritmos avançados para reconhecimento de padrões permitiram uma análise de padrões de comutação complexos, incluindo cruzamentos, direções de loop e valores de resistência, fornecendo insights sem precedentes para sensores complexos de próxima geração.
Esta investigação foi publicada recentemente na revista ACS – Applied Electronic Materials (https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01977) com a colaboração do doutorando Rafael Schio Wegenroth Silva, do Dr. Lucas Augusto Moisés, dos professores Victor Lopez Richard, Adenilson J. Chiquito e Marcio P.F. de Godoy, da UFSCar e do Prof. Fabian Hartmann, da Universidade de Würzburg.