Temperatura, prejuízo ou vantagem no surgimento da memória: o caso do ZnO

O aparecimento natural de efeitos de memória em sólidos é um tópico fascinante e foi analisado de forma sistemática, unindo teoria e experimento, em filmes de óxido de zinco. Reduzindo o problema a seus ingredientes básicos, o transporte eletrônico lateral (in plane)  em ZnO é investigado utilizando medições cíclicas associadas a alterações de temperatura. Esses mecanismos de memória têm sido raramente relatados na literatura e o artigo lança luz, tanto experimental quanto teoricamente, sobre a sintonização da resposta memristiva em filmes de ZnO. A caracterização estrutural, óptica e de transporte eletrônico permite vincular de forma inequívoca os efeitos observados à geração de carga fora de equilíbrio nos cristalitos uniformemente distribuídos pela estrutura.